优化散热，减少散热成本；

提升工作频率：变压器、电感、电容器件轻薄小型化减重；

成本不高于硅MOS方案；

方便可靠：Si MOS对应12V驱动；

抗干扰能力强：4V高阈值，强于E-mode 1.8V低阙值抗高压，1200V以上高击穿电压；

散热优：TO220\TO220F\TO252\DFN等封装。