2025年11月8日苏州镓创晶合科技公司携最新氮化镓应用方案参加中国电源学会举办第二十八界学术年会。本次年会有3000+参会代表和7000+人次专业观众到场。本次大会是一场电力电子和电源行业备受瞩目的行业学术交流和产业合作平台。 镓创晶合专注于GaN方案设计，提供高性能、高可靠性的GaN功率器件、电源、驱动产品

2025年11月6日，第十一届高校电力电子应用设计大赛总决赛拉开帷幕。镓创晶合与台达电子共同主办AI电路设计赛道，本次比赛共有一百余家高校派队报名参加，有19支队伍最终进入围赛道决赛，比赛热情高涨。苏州镓创技术总监王彬，产品总监赵阳全程参与了赛事评选工作。作为GaN方案设计的领军企业，镓创晶合与行业专家、高校团队

氮化镓的应用已经从消费电子的快充向工业级功率领域渗透，这给了国内厂商非常大的市场机会。在2025CI TE电子展上，镓创晶合董事长助理赵阳接受媒体采访，分享公司氮化镓产品和市场近况以及行业趋势等话题。苏州镓创晶合科技是一家专注于大功率氮化镓（GaN）器件制造、应用方案设计的高科技企业，致力于通过持续的技术

4月9-11日，第十三届中国电子信息博览会（CITE 2025）在深圳会展中心隆重举行。作为国内氮化镓（GaN）功率器件领域的领先企业，苏州镓创晶合科技有限公司（以下简称：镓创晶合）携其最新技术成果惊艳亮相，展示了在数据中心、两轮电动车及大功率照明等领域的创新解决方案，引发行业高度关注。据镓创晶合董事长助理赵阳介绍，

过去几年，包括氮化镓和碳化硅在内的宽禁带半导体在全球引起了高度关注。以GaN为例，据知名分析机构Yole预测，预计到 2029 年，功率 GaN 市场规模将增长至 22.5 亿美元以上，2023 年至 2029 年的复合年增长率为 44%。正因为拥有如此庞大的机遇，包括初创企业和传统巨头在内的越来越多企业入局GaN市场。这就引发了另一

氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙较宽，为3.4eV，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pu

在半导体材料的璀璨星空中，氮化镓（GaN）宛如一颗冉冉升起的新星，正逐渐改变着电源设备及众多电子领域的格局。作为一种由氮和镓组成的无机物，氮化镓自 1990 年起便在发光二极管领域崭露头角，而后凭借独特的性能，在更多前沿科技中展现出巨大潜力。氮化镓属于直接能隙半导体，能隙宽达 3.4 电子伏特，这一特性使其成为高

高保真声音再现发烧友是氮化镓（GaN）基本质量的最新受益者，因为它使这些发烧友在充满挑战的环境中得到了喘息。GaN解决了他们关于最佳家庭音频设置构成的难题。音频放大器的基本类别是A类，AB类和B类，它们利用其晶体管的线性区域，同时尝试以最小的失真来重建完美的输入音频信号。已经表明，这种设计可以实现高达80％的理

宽禁带(WBG)半导体在电力电子和高频电路领域掀起了一场风暴，取代了许多以前由硅基器件主导的应用，例如基站中的横向扩散MOS(LDMOS)大功率放大器(HPA)、高压DC/DC转换中的IGBT等。具体到电力电子领域，某些应用需要高开关频率的功率密集型解决方案，以最大限度地降低开关损耗，这已不是什么秘密。从电动汽车中的牵引逆变器、

近日，日本半导体大厂瑞萨电子（Renesas）传出解散其碳化硅（SiC）团队，并取消原定于2025年初的SiC功率半导体量产计划，这一消息在半导体行业激起千层浪。结合多方消息显示，目前瑞萨电子正准备出售其位于群马县高崎工厂的全新碳化硅设备，而其群马县高崎工厂或改回做传统的硅基市场、部分SiC设计小产线，以及为其未来氮化