氮化镓功率芯片

行业领先的氮化镓双管反激方案

ABOUT InnoGaIN

关于我们

镓创晶合专注于GaN方案设计,提供高性能、高可靠性的解决方案。与国内领先的GaN材料制造商中科重仪合作,产品广泛应用于电源管理、光伏、新能源、电机驱动、消费电子、低空经济及智能机器人等领域,助力行业技术进步与发展。

技术研发

技术团队来自中科院半导体所、清华大学。北京设立研发中心,具有强大的技术开发能力。

材料方案结合

氮化镓材料出自中科重仪,作为氮化镓的芯片材料生产商深刻理解氮化镓材料特性。氮化镓材料和芯片的性能密不可分,可开发更优的氮化镓芯片解决方案。

价格优势

通过国产化设备,自主技术制备材料,相对于传统的功率电源方案更有价格优势。

资源优势

与国内外知名的方案应用开发公司广泛合作,在多个应用领域都有成熟解决方案。

WHAT WE DO

主要产品

我们面向大功率电源应用,提供高品质 GaN 功率芯片,并可以根据客户要求定制化设计电路模块,产品具有易于使用、可靠性高、性能参数领先等优点,有效提升电能转换速度、效率、可靠性和成本效益。

30%-40%

减少电路板体积

30%-40%

降低电路板整体重量

2%-4%

效率提升

GaN HEMT 器件
定制 GaN 解决方案
HOW TO USE

应用领域

我们的 GaN 器件及电路模块能够覆盖全功率范围,可以满足从几十瓦到上千瓦的各种应用,产品性能表现优异,功能全面,性价比高,广泛适用于消费电子、工业应用、电动汽车、数据中心、医疗、通讯等诸多领域。

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